1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; 0,55Вт; SOT23; ESD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; 0,55Вт; SOT23; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMP2004K-7
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP2004K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,55Вт
Струм стока: -600мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: driver; 2А; MOSFET; Uробоча: 500В; Uживл: 300В; Uізол: 1,5кВ
IC: driver; 2А; MOSFET; Uробоча: 500В; Uживл: 300В; Uізол: 1,5кВ

553,73 грн

Вихідний струм:
2А
Властивості інтегральних мікросхем:
MOSFET
Монтаж:
THT
Напруга живлення:
300В
Недоступний
Роз’єм: automotive; гніздо,вилка; штекерний; DuraMate AHDP
Роз’єм: automotive; гніздо,вилка; штекерний; DuraMate AHDP

324,38 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
21
Корпус:
розмір 18
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Рулетка вимірювальна; Довж: 30м; Шир: 13мм; сантиметр
Рулетка вимірювальна; Довж: 30м; Шир: 13мм; сантиметр

2237,71 грн

Вимір:
довжини
Довжина:
30м
Матеріал:
пластмаса; скловолокно
Тип інструмента:
рулетка вимірювальна
Недоступний
Резистор: thin film; 510Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 510Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; V; 7x6,6x1мм
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; ±20%; V; 7x6,6x1мм

16,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
3,3мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7x6,6x1мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK