Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTE4151PT1G
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTE4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,1нКл
Корпус: SC89
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 313мВт
Струм стока: -0,76А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: power switch; low-side; 500мА; Ch: 2; SMD; SOP-J8; -40÷150°C
IC: power switch; low-side; 500мА; Ch: 2; SMD; SOP-J8; -40÷150°C

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
low-side
Вихідний струм:
0,5А
Захист:
макс. струму OCP; мінімальна напруга UVP; перегрівання OTP
Кількість каналів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 330мм

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Провід; плоска; NEO-Flach; NGFLGOU; 4G16мм2; неекранований; Cu
Провід; плоска; NEO-Flach; NGFLGOU; 4G16мм2; неекранований; Cu

1405,73 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
NGFLGOU
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷15мм; 10÷36ВDC; M30; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷15мм; 10÷36ВDC; M30; 2м; IP67

2306,56 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...15мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
55,6мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷12,8мм; 10÷30ВDC; M18; 5м
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷12,8мм; 10÷30ВDC; M18; 5м

0,00 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...12,8мм
Довжина відводів:
5м
Додаткові функції:
IO-Link (COM3)
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23