1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,7А; 360мВт; SC70,SOT323

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,7А; 360мВт; SC70,SOT323
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PMF170XP,115
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMF170XP,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,9нКл
Корпус: SC70; SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: -0,7А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80кБSRAM,128кБFLASH; HTQFP64; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 80кБSRAM,128кБFLASH; HTQFP64; 1,8÷3,6ВDC

232,51 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DSP; FPU; MPU; PoR; TRNG; watchdog
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
45
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Резистор: дротяний; 10Ом; 80Вт; ±5%; Ø28x121мм; 200ppm/°C; кільцеві
Резистор: дротяний; 10Ом; 80Вт; ±5%; Ø28x121мм; 200ppm/°C; кільцеві

375,06 грн

Виводи:
кільцеві
Діаметр:
28мм
Довжина:
121мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

0,87 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; М12 "папа",М12 "мама"; прямий; 1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; М12 "папа",М12 "мама"; прямий; 1м

614,55 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly A-cod st/st m/f 1,0m
Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
3
Недоступний
Пуск.компл: обчислювальне; 2,2МГц; 600мВ÷1,28В; 6А; базова плата
Пуск.компл: обчислювальне; 2,2МГц; 600мВ÷1,28В; 6А; базова плата

2510,77 грн

Вихідна напруга:
600мВ...1,28В
Вихідний струм:
6А
Склад комплекту:
базова плата
Тип пускового комплекту:
обчислювальне
Контакт; штекерний; промислова; 1,6мм; CDM/DDM,HD/HDD; 2,5мм2
Контакт; штекерний; промислова; 1,6мм; CDM/DDM,HD/HDD; 2,5мм2

76,66 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Застосування - серія/виробник:
CDM/DDM; HD/HDD
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD