1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,8А; Idm: -1,6А; 0,4Вт; ESD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,8А; Idm: -1,6А; 0,4Вт; ESD
Немає в наявності
Код товару: XP222P0801TR-G
4,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 5
Код товару: XP222P0801TR-G
Виробник: TOREX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: -0,8А
Струм стоку в імпульсі: -1,6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Connector: wire-board; socket; male; data; PIN: 2; polyamide; 2mm; 1A
Connector: wire-board; socket; male; data; PIN: 2; polyamide; 2mm; 1A

1,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; THT; SPDIP28
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; THT; SPDIP28

289,53 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DMAC x4; HLVD; PMP; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Connector: for cards; Nano SIM; data transfer; push-pull; SMT
Connector: for cards; Nano SIM; data transfer; push-pull; SMT

40,55 грн

Connector family:
data transfer
Вид карти:
Nano SIM
Вид упаковки:
ролик
Висота:
1,2мм
Резистор: thick film; 330Ом; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330Ом; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 220кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 220кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В