Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,2А; 0,5Вт; DFN1411-3

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,2А; 0,5Вт; DFN1411-3
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP2104LP-7
Price: 34.85 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: DMP2104LP-7

34,85 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DMP2104LP-7

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:

DFN1411-3

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

0,24Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

0,5Вт

Струм стока:

-1,2А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Напруга сток-джерело:
-20В

Опір в стані провідності:
93мОм

Струм стока:
-3,2А

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-4,4А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
SOT23F

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-6А

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD