1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -5,2А; 350мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -5,2А; 350мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJC7407_R1_00001
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJC7407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5,4нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: -1,3А
Струм стоку в імпульсі: -5,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Test probe: screw-in; 3A; Ø: 1.2mm; GKS-075; CuBe; 1.5N; screw-in
Test probe: screw-in; 3A; Ø: 1.2mm; GKS-075; CuBe; 1.5N; screw-in

559,43 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.64mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.64mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,64мм
820пФ; THT; ±5%; 8,712мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
820пФ; THT; ±5%; 8,712мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

191,33 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Ємність:
820пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 56,7÷62,7В; 18,2А; двоспрямована; ±5%; SMC; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 56,7÷62,7В; 18,2А; двоспрямована; ±5%; SMC; SMCJ

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
SMC
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 12; 10м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 763; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 12; 10м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 763; PUR

3094,91 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP69K
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD