Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,4А; Idm: -5,6А; 300мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM02P14G
19,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02P14G
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,9нКл
Корпус: SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: -1,4А
Струм стоку в імпульсі: -5,6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Мірник: опору ізоляції; LCD; (1999); ВAC: 750В; ±(1%+6digit)
Мірник: опору ізоляції; LCD; (1999); ВAC: 750В; ±(1%+6digit)

3200,71 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вимір:
напруги AC; опору ізоляції
Вимірювальна напруга:
250В; 500В; 1кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 95,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 95,3кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 1206

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; THT
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; THT

3,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 3,4нГн; 1950мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

2,99 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5nH
Індуктивність:
3,4нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 10м; 250ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 10м; 250ВAC; 4А

2691,97 грн

Відповідність стандарту:
UL
Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 1206

15,33 грн

Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD