Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS215PH6327XTSA1
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -1,5А
Технологія: OptiMOS™ P2
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 209÷243,2В; 4,8А; двоспрямована; SMC; 1.5SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 209÷243,2В; 4,8А; двоспрямована; SMC; 1.5SMCJ

10,90 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
190В
Корпус:
SMC
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм

0,00 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT

7,22 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: інтерфейс USB; USB,USB 2.0; рація; QFN24; лоток; Uробоча: 3,3В
IC: інтерфейс USB; USB,USB 2.0; рація; QFN24; лоток; Uробоча: 3,3В

73,49 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
USB; USB 2.0
Кількість приймачів:
1
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD