1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -3А; 0,4Вт; ESD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -3А; 0,4Вт; ESD
Немає в наявності
Код товару: XP223P1501TR-G
8,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Крок додавання: 5
Код товару: XP223P1501TR-G
Виробник: TOREX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,43Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: -1,5А
Струм стоку в імпульсі: -3А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 100V

58,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 25ВDC; SMD; E; 2917; ±10%; TPM
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 25ВDC; SMD; E; 2917; ±10%; TPM

299,04 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
E
Недоступний
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 270Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1А; 25нс; microSMA; 1,5В; Ir: 1мкА
Діод: випрямний; SMD; 1А; 25нс; microSMA; 1,5В; Ir: 1мкА

0,00 грн

Ємність:
3пФ
Корпус:
microSMA
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,5В
Недоступний
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
PG11; IP55; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ
PG11; IP55; латунь; металевий; Стійкість до: промені УФ

420,05 грн

Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
15мм
Зовнішній діаметр проводу:
7...12,5мм
Клас герметичності:
IP55
Резистор: thick film; 75Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 75Ом; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD