Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -4А; 0,85Вт

Немає в наявності
Код товару: DMP2104V-7
6,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: DMP2104V-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT563
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,85Вт
Струм стока: -1,5А
Струм стоку в імпульсі: -4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: полімерний; low ESR; 560мкФ; 2ВDC; X; 2917; SMD; A700
Конденсатор: полімерний; low ESR; 560мкФ; 2ВDC; X; 2917; SMD; A700

79,83 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±20%
Ємність:
560мкФ
Корпус:
X
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 180кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 180кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 82мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 82мкФ; 100ВDC; ±20%

29,97 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
15мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
16мм
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 5,6кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

9,00 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Вилка; штекерний; 50Ом; для проводу; нікельований; PTFE
Вилка; штекерний; 50Ом; для проводу; нікельований; PTFE

827,42 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Матеріал корпусу:
PTFE
Механічний монтаж:
для проводу
Покриття контакту:
нікельований
Недоступний
Провід; 5x26AWG; еластомер термопластичний TPE; білий; 600В
Провід; 5x26AWG; еластомер термопластичний TPE; білий; 600В

74085,87 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з сріблених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вміст упаковки:
30,5м
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 40А; 3LD3; 18,5кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 40А; 3LD3; 18,5кВт

3865,31 грн

Властивості вимикачів:
з червоною ручкою
Допоміжні інтегровані контакти:
NO + NC
Кількість полюсів:
3+N
Монтаж:
на панель
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD