1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -12А; ESD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -12А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMV65XPER
12,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PMV65XPER
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 114мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -1,8А
Струм стоку в імпульсі: -12А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Енкодер: абсолютний; Uживл: 12÷24ВDC; 720імп./об; OUT: PNP; IP65
Енкодер: абсолютний; Uживл: 12÷24ВDC; 720імп./об; OUT: PNP; IP65

39453,93 грн

Властивості датчиків:
вал 10мм
Зовнішні розміри:
Ø60x85мм
Клас герметичності:
IP65
Конфігурація виходу:
PNP
Недоступний
Tap: metric; M33; fine thread,right hand thread; 1.5; L: 160mm
Tap: metric; M33; fine thread,right hand thread; 1.5; L: 160mm

7648,89 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 24; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 24; SMT; 3A; 150V

326,91 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Довжина відводів:
2,1мм
Недоступний
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 3,3нГн; 800мА; R: 90мОм; 0,3нГн
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 3,3нГн; 800мА; R: 90мОм; 0,3нГн

1,65 грн

Високосортність:
8
Допуск:
0,3нГн
Індуктивність:
3,3нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thick film; 100МОм; THT; 4Вт; ±1%; Ø3x52мм; радіальні
Резистор: thick film; 100МОм; THT; 4Вт; ±1%; Ø3x52мм; радіальні

516,35 грн

Виводи:
радіальні
Діаметр:
3мм
Довжина:
52мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 14,7А; Idm: 30А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 14,7А; Idm: 30А

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SOT23-5; 0,04мВ; 0,3пА
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SOT23-5; 0,04мВ; 0,3пА

44,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
40мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,3пА
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD