1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт
Немає в наявності
Код товару: RV1C001ZPT2L
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RV1C001ZPT2L
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: X2-DFN0806-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 40Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,1Вт
Струм стока: -0,1А
Струм стоку в імпульсі: -400мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 13,3В; 151А; односпрямована; DO214AB,SMC; PAR®
Діод: TVS; 3кВт; 13,3В; 151А; односпрямована; DO214AB,SMC; PAR®

46,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thin film; 52,3Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 52,3Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD