Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11,5А; Idm: -46А; 3,1Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMR12P02T1
17,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMR12P02T1
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: -11,5А
Струм стоку в імпульсі: -46А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 75,7x75,7x30мм; blower; 12ВDC; 11,22м3/г; 28,2дБА
Вентилятор: DC; 75,7x75,7x30мм; blower; 12ВDC; 11,22м3/г; 28,2дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
ковзання
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; SMT; 3A; 100V

59,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; DIP14; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; 2,3÷5,5ВDC; THT; DIP14; PIC16

83,63 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG; HLT; NCO; PMD; PoR; PPS; XLP; ZCD
Інтерфейс:
EUSART; LIN; MSSP (SPI / I2C); PMBus; PPS; PWM; RS232; RS485; SMBus; UART
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,5÷31,5В; 14,7А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,5÷31,5В; 14,7А; двоспрямована; ±5%; SMB; P6SMB

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
25,6В
Корпус:
SMB
Недоступний
Резистор: power metal; 1,5кОм; THT; 1Вт; ±5%; 350В; Ø2,5x8мм; осьові
Резистор: power metal; 1,5кОм; THT; 1Вт; ±5%; 350В; Ø2,5x8мм; осьові

1,89 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
висока потужність при малих розмірах
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
8мм
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

12,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 430кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK