Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -14,5А; Idm: -80А; 2,3Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP26M7UFG-7
Price: 19.26 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -14,5А; Idm: -80А; 2,3Вт

Немає в наявності

Код товару: DMP26M7UFG-7

19,26 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2000

Крок додавання: 2000

Код товару:

DMP26M7UFG-7

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 7 дюймів

Заряд затвора:

156нКл

Корпус:

PowerDI3333-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

9мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,3Вт

Струм стока:

-14,5А

Струм стоку в імпульсі:

-80А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Бажані

Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%

8267,88 грн

Виводи:
болтове

Вид конденсатора:
DC-Link

Допуск:
±10%

Ємність:
510мкФ

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V

48,15 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 1,5кВт; 220В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; Ammo Pack

9,12 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated

Корпус:
DO201AE

Монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 2; 2,5÷5,5ВDC; MSOP8; 3мВ

59,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний

Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ

Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-DSO-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD