Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; 1,1Вт; SOT23-6

Немає в наявності
Код товару: ZXM62P02E6TA
19,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: ZXM62P02E6TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5,8нКл
Корпус: SOT23-6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -2,3А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Contact; female; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT
Contact; female; data transfer; copper alloy; gold-plated; THT

84,90 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Діаметр:
3,2мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; THT; straight

28,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: полімерний; 22мкФ; 12,5ВDC; 11мкА; V; 2917; SMD; A700
Конденсатор: полімерний; 22мкФ; 12,5ВDC; 11мкА; V; 2917; SMD; A700

57,65 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
V
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 180Ом; SMD; 2А; 0603; R: 90мОм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 180Ом; SMD; 2А; 0603; R: 90мОм

3,21 грн

Імпеданс при 100МГц:
180Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 240нГн; 770мА; R: 0,15Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 240нГн; 770мА; R: 0,15Ом; ±5%; LQW

2,28 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,24мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V

328,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD