1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDN304PZ
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -2,4А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 3Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
3Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,66Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

10,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 0.6m; 1.5A
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 0.6m; 1.5A

1839,84 грн

Довжина кабелю:
0,6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP20; IP67
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 3кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1812

83,63 грн

Alias:
C1812C101JHGAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Threading die: inch tubular; NPTF 1/4"; 18; high speed steel
Threading die: inch tubular; NPTF 1/4"; 18; high speed steel

6882,29 грн

Type of threading die:
inch tubular
Вид різьблення:
NPTF; конусна; права
Висота:
14мм
Відповідність стандарту:
DIN 223; DIN EN 22568
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x82мм; ±20%; ALS31
Конденсатор: електролітичний; 4,7мФ; 100ВDC; Ø36x82мм; ±20%; ALS31

889,51 грн

Виводи:
болтове
Висота:
82мм
Властивості конденсаторів:
витримують великі струмові навантаження
Діаметр:
36мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD