Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3

Немає в наявності
Код товару: XP162A12A6PR-G
68,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: XP162A12A6PR-G
Виробник: TOREX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT89-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -2,5А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷50А,100А; True RMS; Клас: 1,5
Амперметр; на панель; I AC: 0÷50А,100А; True RMS; Клас: 1,5

1400,79 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Вхідний струм:
0...5А; 10А
Клас герметичності:
IP52
Недоступний
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; прямий; затискання
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; прямий; затискання

35,42 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
M23 P male-c 0,6mm (0,08–0,34mm²) Au
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±1%; SMD

5,26 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; MS/DS; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; MS/DS; прямий

899,65 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
MIL-C-5015
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Провід; UNITRONIC® PUR CP; 3x0,5мм2; PUR; сіро-бежевий
Провід; UNITRONIC® PUR CP; 3x0,5мм2; PUR; сіро-бежевий

213,51 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В

2,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD