Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 1,2Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 1,2Вт
Brand: TOSHIBA
SKU: SSM3J352F,LF(T
Price: 3.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SSM3J352F,LF(T

3,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 18000

Крок додавання: 18000

Код товару:

SSM3J352F,LF(T

Виробник:

TOSHIBA

Вид каналу:

збагачений

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

-20В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,2Вт

Струм стока:

-2А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Кабельний ковпачок і тримач; чорний

55,12 грн

Застосування - серія/виробник:
MX150

Колір:
чорний

Тип аксесуарів для роз’ємів:
кабельний ковпачок і тримач

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-DSO-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD