Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8

Немає в наявності
Код товару: CSD25402Q3AT
89,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD25402Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -148А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 46; SMT; 3A; 250V

140,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
6,7мм
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 16бит; 30Мsps; Ch: 1; -5÷5В; SO28-W; -40÷85°C
IC: перетворювач D/A; 16бит; 30Мsps; Ch: 1; -5÷5В; SO28-W; -40÷85°C

5081,10 грн

Max DNL:
±8LSB
Max INL:
±8LSB
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO28-W
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NC
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NC

46,88 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

888,88 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 450ВDC; ±20%; 3000г
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 450ВDC; ±20%; 3000г

255,96 грн

Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD