1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8
Немає в наявності
Код товару: CSD25402Q3AT
89,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD25402Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -148А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -8В; -9А; Idm: -15А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -8В; -9А; Idm: -15А

14,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 250В; U2J; ±5%; SMD; 0805

1,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NC
Мікроперемикач SNAP ACTION; 11A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPST-NC

46,88 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

888,88 грн

Довжина проводу:
4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 3A; 100V

89,96 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD