1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: DMP2305U-7
14,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP2305U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -4,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ

0,00 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH

701,34 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
CAN x2; EBI; EMI; Ethernet; I2C; I2C x3; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н

163,46 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8

18,18 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
39,2кОм
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,07 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1А; 400мВт; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1А; 400мВт; SOT323

11,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD