1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,3А; Idm: -17,2А; 1,25Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,3А; Idm: -17,2А; 1,25Вт
Немає в наявності
Код товару: PJA3415AE_R1_00501
24,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3415AE_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -4,3А
Струм стоку в імпульсі: -17,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 320А; Y2-DCB; Ufmax: 1,09В
Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 320А; Y2-DCB; Ufmax: 1,09В

6595,29 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
PG13,5; IP68; поліамід; світло-сірий; SKINTOP®; SKINTOP® STR
PG13,5; IP68; поліамід; світло-сірий; SKINTOP®; SKINTOP® STR

117,21 грн

Вид різьблення:
PG
Відповідність стандарту:
UL 514B
Довжина гвинта:
9мм
Зовнішній діаметр проводу:
4...9мм
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; 0800; PUR; IP67
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; 2м; вилка; 30ВDC; 4А; 0800; PUR; IP67

950,33 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Індикація:
LED
Кількість пін:
3
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 345 C 600V; 24x1,5мм2; зшитий полімер
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 345 C 600V; 24x1,5мм2; зшитий полімер

1422,33 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Connector: for cards; SD; data transfer; push-push; SMT; on PCBs
Connector: for cards; SD; data transfer; push-push; SMT; on PCBs

245,82 грн

Connector family:
data transfer
Engineering PN:
CL0609-0004-8-82
Вид карти:
SD
Висота профілю:
2,9мм
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90

0,00 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK