Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Немає в наявності
Код товару: FDC640P
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDC640P
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: SuperSOT-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: -4,5А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вимикач безпеки: блокуючий; TLS3-GD2; NC x2; IP66; пластик; 110ВDC
Вимикач безпеки: блокуючий; TLS3-GD2; NC x2; IP66; пластик; 110ВDC

14578,07 грн

Властивості вимикачів безпеки:
без ключа; звільняє ключ при подачі напруги
Допоміжні інтегровані контакти:
NO
Електричне під'єднування:
M20 x3
Електричні параметри роз’ємів:
250В AC / 2А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 3,1Вт; SOP8

29,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11,8нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; Idm: -14,4А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; Idm: -14,4А; 3,5Вт

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; -250В; -265мА; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; -250В; -265мА; 2Вт; SOT223

19,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±40В
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -100В; -34А; 94Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -100В; -34А; 94Вт; TO252

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
98нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -80А; 137Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -80А; 137Вт; TO220

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Напруга затвор-джерело:
-16...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

12,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -14,5А; 20Вт; HSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -14,5А; 20Вт; HSMT8

43,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
HSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В