Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2365EDS-T1-GE3
24,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 32мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,1Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,37Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; QFN16; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; QFN16; PIC16

24,08 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
A/E/USART; EUSART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C)
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Осцилоскоп: цифровий; Ch: 4; 200МГц; 3,2Гвиб./с; 100Мвыб; ≤3,5нс
Осцилоскоп: цифровий; Ch: 4; 200МГц; 3,2Гвиб./с; 100Мвыб; ≤3,5нс

392860,34 грн

Cенсорна панель:
так
Iнформація:
Продукти призначені тільки для професійного та промислового застосування і не підходять для використання в побуті.
Вертикальна роздільність:
14бит
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 10,1"
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Гніздо; гніздовий; 125В; PIN: 34; кутовий; на панель,на PCB; THT
Гніздо; гніздовий; 125В; PIN: 34; кутовий; на панель,на PCB; THT

1882,29 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
34
Клас горючості:
UL94V-0
Конденсатор: поліестровий; 3300пФ; 5мм; 7,2x2,5x6,5мм
Конденсатор: поліестровий; 3300пФ; 5мм; 7,2x2,5x6,5мм

2,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Ємність:
3,3нФ
Растр виводів:
5мм
Розміри корпусу:
7,2x2,5x6,5мм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD