1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -40А; 1,5Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -40А; 1,5Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP2040UVT-13
5,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP2040UVT-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: TSOT26
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 52мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -40А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: електролітичний; 470мкФ; 450ВDC; Ø35x100мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 470мкФ; 450ВDC; Ø35x100мм; ±20%

558,79 грн

Виводи:
болтове
Висота:
100мм
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 2,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 2,87кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 0.6N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

426,38 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
24В DC
Недоступний
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5

15,59 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид компаратора:
low-power
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23