Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 2,5Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2323CDS-T1-GE3
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -4,6А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Блок живлення: лінійний; LED; 3÷21В; 450мА; 7÷21ВAC; 7÷24ВDC; IP65
Блок живлення: лінійний; LED; 3÷21В; 450мА; 7÷21ВAC; 7÷24ВDC; IP65

235,05 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
3...21В
Вихідний струм:
0,45А
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; -5ВDC; Iвих: 200мА; Iвих.2: 200мА; DIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; -5ВDC; Iвих: 200мА; Iвих.2: 200мА; DIP; THT

0,00 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603; 178мм

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; 200мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; 200мкА

23,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,5мВ
Діапазон напруги живлення:
2...5,5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 1,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 1,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD