Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -16А; 1,8Вт; SOT23-6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM02P40M3
21,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02P40M3
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,7нКл
Корпус: SOT23-6
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 48мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -4А
Струм стоку в імпульсі: -16А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Симістор; 400В; 4А; Igt: 25мА; IPAK; туба; Ifsm: 30А
Симістор; 400В; 4А; Igt: 25мА; IPAK; туба; Ifsm: 30А

11,78 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high commutation
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

16,47 грн

Alias:
KGM21BCG2A470GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -12А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -12А

22,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт

27,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -16А; Idm: -50А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -11А; Idm: -80А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -11А; Idm: -80А

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -0,5А; Idm: -1А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -0,5А; Idm: -1А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
PowerPAK® 0806-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -5,3А; Idm: -21А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT23