Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM02P56M2
17,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM02P56M2
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,2нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -5,6А
Струм стоку в імпульсі: -22,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJUP3F; 150В
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJUP3F; 150В

1,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

4,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; NS; 200В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 7,68Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 7,68Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
7,68Ом
Недоступний
Резистор: metal film; 30мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 30мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CSN

1,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кінцевий датчик; NC x2; 5А; макс.240ВAC; макс.24ВDC; M20; IP66
Кінцевий датчик; NC x2; 5А; макс.240ВAC; макс.24ВDC; M20; IP66

1790,42 грн

Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP66
Конфігурація виходу:
NC x2
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD