Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJE8403_R1_00001
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJE8403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,2нКл
Корпус: SOT523
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: -600мА
Струм стоку в імпульсі: -2,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; 0805
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; 0805

5,07 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 114В; 2,4А; двоспрямована; DO41; 0,4кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 114В; 2,4А; двоспрямована; DO41; 0,4кВт; Ch: 1; -65÷150°C

117,21 грн

Зворотна напруга макс.:
102В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight

44,35 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Перемикач: кнопковий; SPST-NO; OFF-(ON); IP67; Підсв: LED; синій
Перемикач: кнопковий; SPST-NO; OFF-(ON); IP67; Підсв: LED; синій

1322,23 грн

Клас герметичності:
IP67
Колір кнопки:
чорний
Колір підсвітки:
синій
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 4; кутовий; на панель,на PCB; THT
Вилка; штекерний; 125В; PIN: 4; кутовий; на панель,на PCB; THT

990,88 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Генератор; 1,8432МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC
Генератор; 1,8432МГц; SMD; 3,2x2,5x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC

74,76 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 9,31Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD