Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; 5Вт; SC74,TSOP6

Немає в наявності
Код товару: SQ3425CEV-T1_GE3
8,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ3425CEV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -7,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 2,7В; 150мА
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 2,7В; 150мА

27,24 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,7В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thin film; 32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 32кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,69 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0÷400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 0÷400мА

472,63 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0...400мА
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм

0,00 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT

7,22 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD