Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -9А; Idm: -36А; 3Вт; SOP8

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -9А; Idm: -36А; 3Вт; SOP8
Brand: WAYON
SKU: WMS09P02TS
Price: 28.51 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: WMS09P02TS

28,51 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

WMS09P02TS

Виробник:

WAYON

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

18нКл

Корпус:

SOP8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

18мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3Вт

Струм стока:

-9А

Струм стоку в імпульсі:

-36А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 H; 3x1мм2; неекранований; 300В,500В

214,14 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці

Будова екрану:
неекранований

Будова жили:
тросик

Вид жили:
Cu

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK; TO252

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-0,1А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD