1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,12А; 560мВт; SC62,SOT89

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,12А; 560мВт; SC62,SOT89
Немає в наявності
Код товару: BSS192,115
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS192,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: SC62; SOT89
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -240В
Опір в стані провідності: 25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,56Вт
Струм стока: -120мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F

6,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 1А; THT
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; -5В; 1А; THT

26,61 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
-5В
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Тримач; 2032,CR2032; К-сть бат: 2; PCB,SMT; 6,43мм; сталь
Тримач; 2032,CR2032; К-сть бат: 2; PCB,SMT; 6,43мм; сталь

0,00 грн

Висота:
6,43мм
Кількість батарей:
2
Матеріал:
сталь
Монтаж:
PCB; SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 13кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 10ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 10ВDC; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,00 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

8,24 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
220пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD