1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,48А; 2,5Вт; SOT223

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,48А; 2,5Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: ZVP4424GTA
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZVP4424GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±40В
Напруга сток-джерело: -240В
Опір в стані провідності: 8,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -0,48А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: вимірювальний підсилювач; 30кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; SC70-6; 5мкВ
IC: вимірювальний підсилювач; 30кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; SC70-6; 5мкВ

42,45 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мкВ
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,37 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Модуль: тиристорний; пушпульна; 1,2кВ; 51А; ECO-PAC 1; Ufmax: 1,57В
Модуль: тиристорний; пушпульна; 1,2кВ; 51А; ECO-PAC 1; Ufmax: 1,57В

942,09 грн

Виводи:
дріт Ø0,75мм
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VRB
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VRB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 237Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 237Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

30,60 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 768Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 768Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Connector: DIN 41612; plug; male; data; PIN: 96; straight; 1.5A
Connector: DIN 41612; plug; male; data; PIN: 96; straight; 1.5A

376,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
96
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD