1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,43А; 1,8Вт; PG-SOT223
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSP317PH6327XTSA1
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP317PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -250В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -430мА
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 14кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 14кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD; QFN16
IC: мікроконтролер PIC; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD; QFN16

59,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
12
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

10,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
37,8мм
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; RN; -55÷155°C
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; RN; -55÷155°C

52,20 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 6,19кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 6,19кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В