Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHFR9214TR-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFR9214TR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -250В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -1,7А
Струм стоку в імпульсі: -11А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Контактор: 4-полюсний; NO x4; 3А; на шину DIN; BG; W: 44мм; H: 58мм
Контактор: 4-полюсний; NO x4; 3А; на шину DIN; BG; W: 44мм; H: 58мм

1770,78 грн

Виводи:
конектори FASTON
Висота:
58мм
Конфігурація контактів:
NO x4
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Випробувальний контакт; L: 42мм; H: 8,4мм; W: 11,6мм; PS; 1Гбіт/с
Випробувальний контакт; L: 42мм; H: 8,4мм; W: 11,6мм; PS; 1Гбіт/с

6737,21 грн

Висота:
8,4мм
Довжина:
42мм
Підключення:
RJ12
Серія виробника:
PS
Недоступний
Кабель; FireWire 6pin вилка,FireWire 9pin вилка; 3м; чорний
Кабель; FireWire 6pin вилка,FireWire 9pin вилка; 3м; чорний

935,13 грн

Діаметр жили:
24AWG; 28AWG
Довжина кабелю:
3м
Зовнішній діаметр проводу:
6мм
Інтерфейс:
FireWire; i.Link
Недоступний
M32; 1.5; IP66; brass; HELUTOP® HT-MS-EX-d; Cable gland: cable
M32; 1.5; IP66; brass; HELUTOP® HT-MS-EX-d; Cable gland: cable

741,26 грн

Відповідність стандарту:
ATEX Ex
Зовнішній діаметр проводу:
22...28мм
Клас герметичності:
IP66
Крок різьби:
1,5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 64А; 39Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 64А; 39Вт; TO220FP

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD