Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Немає в наявності
Код товару: FDN352AP
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDN352AP
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 1,9нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -1,3А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,91пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,91пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,91пФ
Недоступний
LED; у корпусі; синій; К-ть діодів: 1; 3мм; 20мА; Лінза: дифузійний
LED; у корпусі; синій; К-ть діодів: 1; 3мм; 20мА; Лінза: дифузійний

168,53 грн

Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
430нм
Кількість діодів:
1
Колір діода LED:
синій
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

1595,92 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,335А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В
Резистор: thin film; 787Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; TC; 25В

0,52 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; 3,43x2,8x1,19мм; SMD; 200мА; 30ВDC
Запобіжник: полімерний PTC; 3,43x2,8x1,19мм; SMD; 200мА; 30ВDC

2,48 грн

Вид запобіжника:
мініатюрний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
CE; CSA; UL
Застосування запобіжників:
автомобільні застосування; електронні додатки
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВDC; DPDT; 20А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 120ВDC; DPDT; 20А; 10A/250ВAC

4618,61 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Зовнішні розміри:
73x38,2x85,4мм
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD