Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100мА; Idm: -0,7А; 390мВт

Немає в наявності
Код товару: DMP32D9UFZ-7B
5,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP32D9UFZ-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 0,35нКл
Корпус: X2-DFN0606-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,39Вт
Струм стока: -0,1А
Струм стоку в імпульсі: -0,7А
Тип транзистора: P-MOSFET
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; PUR

4740,25 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,67кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Циркулярна абразивна стрічка; W: 75мм; L: 533мм
Циркулярна абразивна стрічка; W: 75мм; L: 533мм

340,22 грн

Використання інструментів:
for belt sanders; дерево; для зняття фарби; для полірування металу; пластик
Довжина:
533мм
Тип аксесуарів для електричних інструментів:
циркулярна абразивна стрічка
Ширина:
75мм
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 8А; 8A/250ВAC; Card E
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 8А; 8A/250ВAC; Card E

1262,04 грн

Зовнішні розміри:
28x10,4x25,1мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgNi
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 100МГц; UFQFPN32; -40÷85°C

209,07 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Інтерфейс:
GPIO; I2C; IrDA; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
20
Корпус:
UFQFPN32
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; 750мА; Iмакс: 5А; THT; 0ZRM
Запобіжник: полімерний PTC; 750мА; Iмакс: 5А; THT; 0ZRM

Максимальна напруга:
120В DC
Максимальний струм:
5А
Монтаж:
THT
Номінальний струм:
0,75А
Недоступний
Резистор: thin film; 13,3кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 13,3кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD