Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 13,6Вт; SC70-6

Немає в наявності
Код товару: SQA403CEJW-T1_GE3
11,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQA403CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC70-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 24,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,6Вт
Струм стока: -10А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); SMD; 0402

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 464кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 464кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,5мм

5,96 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 453Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23