Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -12А; Idm: -64А; 62,5Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS423ENW-T1_GE3
18,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS423ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 21мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -64А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Запобіжник: плавка; керамічний; PCB,THT; 10÷50А; 750÷800ВDC
Запобіжник: плавка; керамічний; PCB,THT; 10÷50А; 750÷800ВDC

429,55 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Матеріал контакту:
сплав міді
Монтаж:
PCB; THT
Номінальна напруга:
750...800В DC
Діод: TVS; 1,5кВт; 14В; 75,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 14В; 75,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB; SMCJ

46,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
12В
Радіатор: штампований; ребристий; BGA; синій; L: 31мм; W: 31мм
Радіатор: штампований; ребристий; BGA; синій; L: 31мм; W: 31мм

821,09 грн

Використання:
BGA
Висота:
7,5мм
Довжина:
31мм
Колір:
синій
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 270мкФ; 35ВDC; Ø10x13мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 270мкФ; 35ВDC; Ø10x13мм; ±20%

4,69 грн

Висота:
13мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
270мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0805

1,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD