Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDS6673BZ
72,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDS6673BZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -14,5А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: литий; 4,5ВА; 230ВAC; 15В; 300мА; IP00; PT
Трансформатор: литий; 4,5ВА; 230ВAC; 15В; 300мА; IP00; PT

741,26 грн

Відповідність стандарту:
EN 61558-2-6; UL 5085-1
Вторинна напруга 1:
15В
Зовнішні розміри:
37x44x33мм
Клас герметичності:
IP00
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY
Резистор: thick film; 15Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY

0,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Tap: metric; M18; right hand thread; 2.5; L: 95mm; 11mm
Tap: metric; M18; right hand thread; 2.5; L: 95mm; 11mm

873,67 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD