Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; 2,8А; 1,3Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOSS21319C
3,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AOSS21319C
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 2,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 80МГц; VQFN32; 1,8÷3,6ВDC; CC430
IC: мікроконтролер MSP430; 80МГц; VQFN32; 1,8÷3,6ВDC; CC430

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Корпус:
VQFN32
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,8...3,6В DC
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 20÷22,1В; 13,7А; двоспрямована; ±5%; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 20÷22,1В; 13,7А; двоспрямована; ±5%; SMA; SMAJ

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
SMA
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 190В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 260В
Тиристор: TSS; Urmax: 190В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 260В

44,35 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Використання:
baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
190В
Корпус:
TO92
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SO16
IC: інтерфейс; приймач,контролер лінії; RS232; 1000кбіт/с; SO16

117,84 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер лінії; приймач
Інтерфейс:
RS232
Кількість приймачів:
2
Корпус:
SO16
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 25А; Ufmax: 1,3В; Ir: 1мкА; 5мкс

353,52 грн

Зворотна напруга макс.:
1кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,3В
Структура напівпровідника:
одиночний діод
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THR,THT; 3A

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
7,7мм
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8

19,20 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD