Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -263А; Idm: -648А; 138,9Вт

Немає в наявності
Код товару: NTMFS002P03P8ZT1G
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS002P03P8ZT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 217нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 1,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 138,9Вт
Струм стока: -263А
Струм стоку в імпульсі: -648А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC
Конденсатор: кремнієвий; 10нФ; 11В; ±15%; -55÷150°C; ULSC

17,36 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
11В
Робоча температура:
-55...150°C
Недоступний
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 200кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: датчик температури; -55÷150°C; WSON8; SMD; Точність: ±0,1°C
IC: датчик температури; -55÷150°C; WSON8; SMD; Точність: ±0,1°C

124,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Діапазон вимірювання температури:
-55...150°C
Інтерфейс:
single-wire
Корпус:
WSON8
Недоступний
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

42,45 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; PUR

9806,14 грн

Довжина проводу:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THR,THT; 3A

53,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V

81,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD