1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS308PEH6327XTSA1
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -2А
Технологія: OptiMOS™ P3
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,024мкФ; 1кВDC; THT; ±3%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,024мкФ; 1кВDC; THT; ±3%

16,98 грн

Допуск:
±3%
Ємність:
24нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; THT; 1.5A

568,93 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 64,4÷71,2В; 4,3А; односпрямована; SMA; ролик
Діод: TVS; 0,4кВт; 64,4÷71,2В; 4,3А; односпрямована; SMA; ролик

9,00 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
58В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
EMI/EMC екранувальний мат: екрануюча; 240x240x0,2мм; EFS
EMI/EMC екранувальний мат: екрануюча; 240x240x0,2мм; EFS

2990,37 грн

Властивості мати:
самоклеюча
Магнітна проникність:
10
Робоча температура:
-40...105°C
Розміри:
240x240x0,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,37кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,37кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD