1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJA3403_R1_00001
13,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA3403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,165Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -3,1А
Струм стоку в імпульсі: -12,4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: AC; 266,5x276x246,5мм; центробіжній; 230ВAC; IP44
Вентилятор: AC; 266,5x276x246,5мм; центробіжній; 230ВAC; IP44

0,00 грн

Виводи:
проводи x4
Вид вентилятора:
центробіжній
Вид двигуна:
1-фазний
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 66,5Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

1,72 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Роз’єм: HDC; гніздовий; PIN: 4; затискання; промислова
Роз’єм: HDC; гніздовий; PIN: 4; затискання; промислова

174,23 грн

Alias:
HDC MCOAX 4 FC
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А

5877,48 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
4,17А
Вхідна напруга:
43...101В DC
Зовнішні розміри:
57,9x36,8x12,7мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 56Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 56Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

6,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK