1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; Idm: -10А; 2,5Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; Idm: -10А; 2,5Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: FDS9400A
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDS9400A
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,5нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,21Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -3,4А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

851,50 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 51В; DO41; 50нА; Ufmax: 1В
Діод: зенера; 1,5Вт; 51В; DO41; 50нА; Ufmax: 1В

1549,67 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
51В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Дисплей: LCD; графічний; 240x128; 144x104x15,8мм; 5ВDC
Дисплей: LCD; графічний; 240x128; 144x104x15,8мм; 5ВDC

13580,86 грн

Cенсорна панель:
опору
Вид дисплея:
графічний
Інтерфейс:
8bit
Напруга живлення:
5В DC
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-100; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.3mm; GKS-100; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD