1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 1,2Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 1,2Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: DMP3068L-7
21,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP3068L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -3,6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 209÷231В; 1,9А; односпрямована; DO15; P6KE
Діод: TVS; 0,6кВт; 209÷231В; 1,9А; односпрямована; DO15; P6KE

3,55 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
185В
Корпус:
DO15
Резистор: metal film; 750Ом; 1Вт; MFR
Резистор: metal film; 750Ом; 1Вт; MFR

1,74 грн

Опір:
750Ом
Потужність:
1Вт
Серія виробника:
MFR
Тип резистора:
metal film
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Генератор; 19,2МГц; SMD; 3,2x2,5x1мм; ±25ppm; 3,3ВDC; -10÷70°C
Генератор; 19,2МГц; SMD; 3,2x2,5x1мм; ±25ppm; 3,3ВDC; -10÷70°C

65,26 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
3,3В DC
Робоча температура:
-10...70°C
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23