Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -20А; 1,7Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2371EDS-T1-BE3
4,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2371EDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: -3,8А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2000мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 2000мА

1555,37 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; падіння напруги BOP; протиперевантажувальні OPP
Викрутка: ізольований; 6-гранний ковпачок; HEX 11мм; 1кВAC
Викрутка: ізольований; 6-гранний ковпачок; HEX 11мм; 1кВAC

918,65 грн

Використання інструментів:
для електриків; електрошафи; розподільні ящики
Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Властивості викруток:
двокомпонентний матеріал рукоятки; ергономічна рукоятка; протиковзке покриття рукоятки
Довжина леза:
125мм
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFN24; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFN24; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI x2; USART; USB
Кількість входів/виходів:
17
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 48ВAC,48ВDC; SPST; 1А; 1A/60ВDC; IP20
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 48ВAC,48ВDC; SPST; 1А; 1A/60ВDC; IP20

1051,70 грн

Зовнішні розміри:
88,6x6,2x7,6мм
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація контактів:
SPST
Макс. струм контактів:
1А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

1,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Tap: metric-set; M42; metric; 4.5; L: 150mm; Holder: square,hand
Tap: metric-set; M42; metric; 4.5; L: 150mm; Holder: square,hand

8769,65 грн

Type of tap:
metric - set
Вид різьблення:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
алюміній; пластмаса; сталь
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23