Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 30Вт

Немає в наявності
Код товару: PJQ4403P_R2_00001
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4403P_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -140А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: driver; buck; контролер LED; HTSSOP14; 5А; Ch: 1; 7÷85ВDC
IC: driver; buck; контролер LED; HTSSOP14; 5А; Ch: 1; 7÷85ВDC

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
5А
Кількість в наборі/упаковці:
2500шт.
Недоступний
Роз’єм: automotive; гніздо; штекерний; DuraMate AHDP; термопласт
Роз’єм: automotive; гніздо; штекерний; DuraMate AHDP; термопласт

398,51 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
20 (18+2)
Корпус:
розмір 18
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В

392,80 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
VQFN100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц

11,40 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,33кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,33кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD