1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 30Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 30Вт
Немає в наявності
Код товару: PJQ4403P_R2_00001
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4403P_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: -35А
Струм стоку в імпульсі: -140А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 220В
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 220В

46,88 грн

Вид упаковки:
розсипний
Використання:
baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
170В
Корпус:
TO92
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 0,1мкФ; 600ВDC; ±5%; THT
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 0,1мкФ; 600ВDC; ±5%; THT

1618,10 грн

Виводи:
осьові
Висота:
50мм
Діаметр:
24мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В

392,80 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
VQFN100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 16А; 3LD3; 7,5кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 16А; 3LD3; 7,5кВт

2470,86 грн

Властивості вимикачів:
з чорною поворотною ручкою
Допоміжні інтегровані контакти:
NO + NC
Кількість полюсів:
3+N
Монтаж:
на панель
Недоступний
Викрутка: ізольований-комплект; прецизійна; Phillips,плоскa
Викрутка: ізольований-комплект; прецизійна; Phillips,плоскa

1798,66 грн

Вид викрутки:
прецизійна
Властивості викруток:
ергономічна рукоятка
Кількість в наборі/упаковці:
5шт.
Розмір грота:
PH0; PH1
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

5,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Конденсатор: полімерний; 80ВDC; 12мкФ; -55÷105°C; ±20%; SMD; 3000г
Конденсатор: полімерний; 80ВDC; 12мкФ; -55÷105°C; ±20%; SMD; 3000г

78,56 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
12мкФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
80В DC
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD