Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -40А; Idm: -100А; 2,4Вт
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMP3007SCGQ-13
Price: 34.72 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -40А; Idm: -100А; 2,4Вт

Немає в наявності

Код товару: DMP3007SCGQ-13

34,72 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

DMP3007SCGQ-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

64,2нКл

Корпус:

V-DFN3333-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±25В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

13мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2,4Вт

Струм стока:

-40А

Струм стоку в імпульсі:

-100А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

Реактор: дротяний; SMD; 0806; 18мкГн; 140мА; R: 5,2Ом; ±20%; LQH

4,24 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм

Допуск:
±20%

Індуктивність:
18мкГн

Корпус - дюйм:
0806

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -18А; 31Вт; MLP8

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
53нКл

Корпус:
MLP8

Недоступний

Бажані

Роз’єм: M12; вилка; PIN: 8; гніздовий; промислова; прямий; IP65,IP67

2928,92 грн

Connector family:
промислова

Вид роз’єму:
гніздовий

Довжина проводу:
10м

Електричний монтаж:
проводи

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK; TO252

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-0,1А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD