1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,4А; Idm: -26А; 1,9Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,4А; Idm: -26А; 1,9Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: ZXMP3A16N8TA
89,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXMP3A16N8TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 70мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,9Вт
Струм стока: -5,4А
Струм стоку в імпульсі: -26А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Корпус - дюйм:
0402
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; RM85
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 5ВDC; SPST-NO; 16A/250ВAC; RM85

127,34 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Клас герметичності:
IP67
Колір корпусу:
білий
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 59Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 390мкФ; 500ВDC; Ø40x45мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 390мкФ; 500ВDC; Ø40x45мм

479,60 грн

Висота:
45мм
Діаметр:
40мм
Допуск:
±20%
Ємність:
390мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 8,3÷9,2В; 232,5А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 3кВт; 8,3÷9,2В; 232,5А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

43,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
7,5В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; straight

4,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO263

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23F
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,9нКл
Корпус:
MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -80А; 2,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -80А; 2,3Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
PowerDI3333-8