Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,9А; Idm: -25А; 1,6Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SI2343CDS-T1-GE3
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: -5,9А
Струм стоку в імпульсі: -25А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 3+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 3+N

4741,52 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 40В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD123F; SMD; 40В; 1А; ролик,cтрічка

22,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
40В
Корпус:
SOD123F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; 10А; 400В; PIN: 5; 4+PE; M20
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; 10А; 400В; PIN: 5; 4+PE; M20

1092,25 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний + гніздовий
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Зовнішній діаметр проводу:
6...12мм
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

183,73 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 5кВ; SDIP6; PIN: 6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: відкритий колектор; Uізол: 5кВ; SDIP6; PIN: 6

133,68 грн

Вид виходу:
відкритий колектор
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Кількість пін:
6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,3пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603

2,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23